一种用于晶片的开沟槽装置
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摘要

本实用新型公开了一种用于晶片的开沟槽装置,包括开沟槽体、冷却槽体、举升机构和转动架,冷却槽体设置在开沟槽体的侧部,举升机构安装在开沟槽体的顶端,转动架转动安装在举升机构的端部,冷却槽体的内部设置有第一制冷盘管;举升机构包括竖板、转动轴、第一电机和举升臂;转动架包括两个相对间隔设置的侧板、连接在两个侧板底部之间的底板以及连接在两个侧板顶部之间的固定杆,底板顶部的左右两端分别设置有挡板。本实用新型针对现有技术中用于晶片的开沟槽装置不能很好的维持酸腐蚀液的温度,腐蚀出的沟槽深度一致性差,晶片的质量低等问题进行改进,本实用新型具有很好的维持酸腐蚀液的温度、腐蚀出的沟槽深度一致、提升晶片的质量等优点。

基本信息
专利标题 :
一种用于晶片的开沟槽装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021856840.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-31
授权号 :
CN213304070U
授权日 :
2021-05-28
发明人 :
程崑岚陈仕军程俊斌张贤锋
申请人 :
固镒电子(芜湖)有限公司
申请人地址 :
安徽省芜湖市经济技术开发区之出口加工区
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202021856840.5
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-05-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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