一种硅片清洗液循环系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅片清洗液循环系统，涉及硅片清洗技术领域，针对现有清洗液利用率不高的问题，现提出如下方案，其包括清洗箱，所述清洗箱底端设有出水管，所述出水管底端设有三通，所述出水管底端通过三通分别固定有第一电磁阀、第二电磁阀、第三电磁阀，所述第一电磁阀、第二电磁阀、第三电磁阀分别通过连管连接有第一循环箱、第二循环箱、滤水装置，滤水装置侧壁固定有净水箱，所述净水箱内设有抽水泵。本实用新型中，通过第一循环箱和第二循环箱等结构的设置，可以用第一循环箱内的清洗液对硅片进行预洗，第二循环箱内的清洗液对硅片进行精洗，完后第二循环箱内的清洗液可以抽送到第一循环箱中做预洗，节省了清洗液。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片清洗液循环系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921207381.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-30
授权号 ：
CN210006704U
授权日 ：
2020-01-31
发明人 ：
信广志冯艳红韩萍
申请人 ：
天津创昱达光伏科技有限公司
申请人地址 ：
天津市宝坻区黄庄镇产业功能区一号路东4号
代理机构 ：
北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋平
优先权 ：
CN201921207381.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-01-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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