水平结构晶体管及其制作方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
在被诸如氧化物之类的绝缘体[22]完全包围的一个薄的外延岛[24，70]中制成水平结构晶体管[20，68]。该晶体管[20，68]具有从同一掩模扩散到岛[24，70]中的基极区[34，80]和发射极区[26，84]，从而使基极[34，80]的宽度是可控的并且相对于发射极[26，84]来说保持不变。多晶硅基极接触[36，96]位于岛[24，70]的顶部之上并通过氧化层[90]与发射极区[26，84]和集电极区[28，86]相隔离。此水平结构晶体管很容易把互补的双极型晶体管[20，68]和互补的IGFET器件制作在同一衬底上。
基本信息
专利标题 ：
水平结构晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108008A
申请号 ：
CN85108008.1
公开（公告）日 ：
1986-05-10
申请日 ：
1985-10-30
授权号 ：
CN1004594B
授权日 ：
1989-06-21
发明人 ：
戴维·B·斯伯特詹姆斯·D·琼拉瑞爱尔顿·J·赞雷斯基
申请人 ：
得克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州75265达拉斯邮政信箱225474
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
冯晓明
优先权 ：
CN85108008.1
主分类号 ：
H01L29/72
IPC分类号 ：
H01L29/72 H01L29/76 H01L29/68 H01L21/04 H01L21/20
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法律状态
2001-06-20 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-01-31 ：
授权
1989-06-21 ：
审定
1988-06-29 ：
实质审查请求
1988-05-25 ：
被视为撤回的申请
1986-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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