半导体晶体管结构及其制作方法

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摘要

本发明公开一种半导体晶体管结构及其制作方法，其中该半导体晶体管结构，包含一基底，具有一第一导电型；一鳍结构，成长在所述基底上，所述鳍结构包含具有与所述第一导电型相反的第二导电型的一第一外延层、在所述第一外延层上的一第二外延层，以及在所述第二外延层上具有所述第二导电型的一第三外延层；以及一栅极，位于所述鳍结构上。

基本信息

专利标题：

半导体晶体管结构及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113611743A

申请号：

CN202110651874.3

公开（公告）日：

2021-11-05

申请日：

2021-06-11

授权号：

CN113611743B

授权日：

2022-06-07

发明人：

刘昇旭黄世贤谈文毅

申请人：

联芯集成电路制造(厦门)有限公司

申请人地址：

福建省厦门市翔安区万家春路899号

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陈小雯

优先权：

CN202110651874.3

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336

法律状态

2022-06-07 ：

授权

2021-11-23 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20210611

2021-11-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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