具有空气间隙的晶体管结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种具有空气间隙的晶体管结构及其制作方法，其中该具有空气间隙的晶体管结构包含一基底，一晶体管设置在基底上，一蚀刻停止层覆盖并接触晶体管和基底，一第一介电层覆盖并接触蚀刻停止层，一第二介电层覆盖第一介电层，一沟槽位于栅极结构上方并且在第一介电层和第二介电层内，其中位于第二介电层内的沟槽的宽度小于位于第一介电层内的沟槽的宽度，一填充层设置于沟槽中并且覆盖第二介电层的上表面以及一空气间隙设置在填充层中。
基本信息
专利标题 ：
具有空气间隙的晶体管结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446931A
申请号 ：
CN202011214795.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黎云飞冯骥张国海戴锦华
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011214795.8
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/528
申请日 : 20201104
申请日 : 20201104
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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