一种硅片处理设备
授权
摘要

本发明提供一种硅片处理设备。硅片处理设备包括反应槽、电磁控制器和搅拌加热转子;电磁控制器设置于反应槽外侧,搅拌加热转子设置于反应槽内,搅拌加热转子的位置对应电磁控制器设置,以通过电磁控制器控制搅拌加热转子;搅拌加热转子包括搅拌部和加热部,搅拌部包括永磁体,加热部包括金属材料。本发明通过设置电磁控制器和搅拌加热转子,可以通过电磁控制器与搅拌加热转子的搅拌部相配合,实现对于反应槽中反应液的搅拌,通过电磁控制器与搅拌加热转子的加热部相配合,实现对于反应槽中反应液的加热,有助于提高对于反应槽中反应液加热的均匀程度,通过一组设备同时实现加热和搅拌两个功能,也有助于降低设备的成本。

基本信息
专利标题 :
一种硅片处理设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112609243A
申请号 :
CN202011478667.4
公开(公告)日 :
2021-04-06
申请日 :
2020-12-15
授权号 :
CN112609243B
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
刘晓鹏
申请人 :
西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
代理机构 :
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 :
黄灿
优先权 :
CN202011478667.4
主分类号 :
C30B33/10
IPC分类号 :
C30B33/10  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2022-04-19 :
授权
2021-04-23 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/10
申请日 : 20201215
2021-04-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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