湿法去除硅片背面钴沾污的方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种湿法去除硅片背面钴(Co)沾污的方法，其在背面旋转刻蚀装置上使用混酸来进行硅片背面钴沾污洗净，包括如下步骤：第一步，混酸药液处理5－10秒，药液温度为25－35℃；第二步，用去离子水进行水洗；第三步，N₂干燥。该方法能够快速、有效地去除硅片背面的钴(Co)沾污，可以将硅片背面金属沾污水平从3000×10¹⁰atoms/cm²以上降低至0.02×10¹⁰atoms/cm²以下，避免造成工艺生产线的金属钴污染，且该方法对硅片正面无影响。

基本信息

专利标题：

湿法去除硅片背面钴沾污的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979761A

申请号：

CN200510111040.4

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-01

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

刘须电仓凌盛

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510111040.4

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/306 B08B3/04 B08B3/08

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

法律状态

2021-11-12 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20051201
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20201201

2014-01-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101684693995
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101110404
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20131216

2009-01-14 ：

授权

2007-08-08 ：

实质审查的生效

2007-06-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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