一种去除硅片背面氮化硅的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种去除硅片背面氮化硅的方法。本发明一种去除硅片背面氮化硅的方法，包括以下步骤：第一步，在硅片上进行侧墙氧化硅生长；第二步，生长侧墙氮化硅；第三步，生长自对准硅化物阻挡层；第四步，在硅片正面表面涂布一层有机物；第五步，用浸泡的方法去除硅片背面的氮化硅；第六步，去除第四步中涂布在硅片正面的有机物。本发明可以节约氮化硅去除所需使用的时间和药液，节约成本。本发明适用于半导体集成工艺领域的硅片背面氮化硅去除方法。
基本信息
专利标题 ：
一种去除硅片背面氮化硅的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1964000A
申请号 ：
CN200510110236.1
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周贯宇
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市川桥路1188号718
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510110236.1
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2011-01-05 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101058457951
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利申请号 : 2005101102361
公开日 : 20070516
号牌文件序号 : 101058457951
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利申请号 : 2005101102361
公开日 : 20070516
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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