本发明提供一种改良的选择性去除氮化硅的湿法蚀刻方法，涉及半导体技术领域，包括：步骤S1，提供一晶圆，所述晶圆的上表面生长有氮化硅层和氧化硅层；步骤S2，提供一磷酸混合溶液，并将所述磷酸混合溶液加热至一预设温度；步骤S3，向所述晶圆的上表面喷淋所述磷酸混合溶液，对所述晶圆的上表面进行湿法蚀刻，以去除所述氮化硅层的同时保留所述氧化硅层。有益效果是将磷酸和超纯水混合形成磷酸混合溶液并加热形成高温磷酸混合溶液，且采用喷淋方式进行选择性清洗蚀刻，实现高选择性的同时，有效避免磷酸混合溶液的杂质累积以及晶圆的交叉感染，有效改善制备产品的品质。