用于高选择性氮化硅蚀刻的改良调配物
实质审查的生效
摘要
本发明提供可用于氮化硅材料相对于多晶硅、氧化硅材料及/或硅化物材料从其上具有这些材料的微电子装置的选择性去除的组合物。本发明的组合物特别可用于3DNAND结构的蚀刻。
基本信息
专利标题 ：
用于高选择性氮化硅蚀刻的改良调配物
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114269884A
申请号 ：
CN202080059034.1
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-08-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·怀特D·凯珀S·迪梅奥
申请人 ：
恩特格里斯公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李婷
优先权 ：
CN202080059034.1
主分类号 ：
C09K13/06
IPC分类号 ：
C09K13/06 C09K13/04 C09K13/08 H01L21/311
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K13/00
蚀刻，表面光亮或浸蚀组合物
C09K13/04
含一种无机酸
C09K13/06
带有机材料的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C09K 13/06
申请日 : 20200821
申请日 : 20200821
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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