氮化硅膜蚀刻组合物及利用其的方法
授权
摘要
本发明涉及氮化硅膜蚀刻组合物，更具体地，涉及通过将聚硅化合物包含在蚀刻组合物中，从而相对于氧化硅膜能够以高选择比蚀刻氮化硅膜的氮化硅膜用蚀刻组合物、利用其的氮化硅膜的蚀刻方法及半导体元件的制造方法。
基本信息
专利标题 ：
氮化硅膜蚀刻组合物及利用其的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110872516A
申请号 ：
CN201910835738.2
公开（公告）日 ：
2020-03-10
申请日 ：
2019-09-03
授权号 ：
CN110872516B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
金东铉朴贤宇曹长佑金泰镐李明护宋明根
申请人 ：
易案爱富科技有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
上海弼兴律师事务所
代理人 ：
薛琦
优先权 ：
CN201910835738.2
主分类号 ：
C09K13/06
IPC分类号 ：
C09K13/06 H01L21/311
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K13/00
蚀刻，表面光亮或浸蚀组合物
C09K13/04
含一种无机酸
C09K13/06
带有机材料的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-06-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C09K 13/06
申请日 : 20190903
申请日 : 20190903
2020-03-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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