用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法
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摘要
本文公开一种用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法。用于氮化硅层的蚀刻组合物包含：无机酸或其盐；溶剂；选自酸改性二氧化硅及酸改性硅酸的群组中的至少一者；及含有四个或更多个氮原子的环状化合物。本发明当在高温下用于蚀刻时可显著增加氮化硅层对氧化硅层的蚀刻选择性。
基本信息
专利标题 ：
用于氮化硅层的蚀刻组合物及使用其蚀刻氮化硅层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112680228A
申请号 ：
CN202011107899.9
公开（公告）日 ：
2021-04-20
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
CN112680228B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
崔正敏张俊英金贤贞文炯朗李智惠韩权愚黄基煜
申请人 ：
三星SDI株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨贝贝
优先权 ：
CN202011107899.9
主分类号 ：
C09K13/06
IPC分类号 ：
C09K13/06 H01L21/311
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K13/00
蚀刻，表面光亮或浸蚀组合物
C09K13/04
含一种无机酸
C09K13/06
带有机材料的
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-05-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C09K 13/06
申请日 : 20201016
申请日 : 20201016
2021-04-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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