用于选择性抛光氮化硅层的组合物以及使用该组合物的抛光方法
授权
摘要
提供一种抛光组合物，其氮化硅层的材料去除速率高于氧化硅层的材料去除速率，对抛光平面化基本上没有不良作用，可以达到足够的氮化硅层去除速率，还提供了一种使用该组合物的抛光方法。一种抛光组合物，包含氧化硅磨粒、酸添加剂和水，当酸添加剂形成85重量％的水溶液时，在80℃的大气下，对氮化硅层的化学蚀刻速率最多为0.1纳米/小时。特别优选的组合物是其中氧化硅磨粒的平均粒径为1－50纳米，pH值为3.5－6.5的组合物。
基本信息
专利标题 ：
用于选择性抛光氮化硅层的组合物以及使用该组合物的抛光方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1796482A
申请号 ：
CN200510116191.9
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
平光亚衣伊藤隆堀哲二
申请人 ：
不二见株式会社
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
徐迅
优先权 ：
CN200510116191.9
主分类号 ：
C09K3/14
IPC分类号 ：
C09K3/14 C09C1/68 H01L21/304
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K3/00
不包含在其他类目中的材料
C09K3/14
防滑材料；研磨材料
法律状态
2010-06-02 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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