一种用于氮化硅选择性蚀刻的清洗蚀刻系统
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种用于氮化硅选择性蚀刻的清洗蚀刻系统，涉及半导体技术领域，包括：清洗模组；高温溶液供应模块；高温溶液回收模块；多个常温溶液供应模块，每个常温溶液供应模块包括供应单元和回收单元；总控模块控制高温溶液供应模块向清洗模组提供沸腾的磷酸水溶液对晶圆进行蚀刻，以及控制补水模块向高温溶液供应模块输送超纯水；控制高温溶液回收模块由清洗模块回收磷酸水溶液，并将磷酸水溶液进行过滤后输送回高温溶液供应模块；控制供应单元向清洗模块提供常温的清洗溶液对晶圆进行清洗，以及控制回收单元由清洗模块回收清洗溶液并输送回供应单元。有益效果是有效满足氮化硅选择性蚀刻的需求，保证清洗蚀刻过程中的安全性且有效节约成本。
基本信息
专利标题 ：
一种用于氮化硅选择性蚀刻的清洗蚀刻系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420596A
申请号 ：
CN202111651889.6
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘大威邓信甫杨嘉斌林忠宝
申请人 ：
上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫海路170号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
竺路玲
优先权 ：
CN202111651889.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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