用于氮化硅的蚀刻组合物和使用其进行蚀刻的方法
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摘要
一种用于氮化硅的蚀刻组合物和使用其进行蚀刻的方法。蚀刻组合物包括：磷酸化合物；取代或未取代的C7至C8环烃；和水。该蚀刻组合物对氮化硅层具有高选择性，并且可以抑制硅化合物的沉淀。
基本信息
专利标题 ：
用于氮化硅的蚀刻组合物和使用其进行蚀刻的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110437837A
申请号 ：
CN201910360034.4
公开（公告）日 ：
2019-11-12
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN110437837B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
崔正敏赵娟振黄基煜高尚兰
申请人 ：
三星SDI株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
曲在丹
优先权 ：
CN201910360034.4
主分类号 ：
C09K13/06
IPC分类号 ：
C09K13/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K13/00
蚀刻，表面光亮或浸蚀组合物
C09K13/04
含一种无机酸
C09K13/06
带有机材料的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-12-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C09K 13/06
申请日 : 20190430
申请日 : 20190430
2019-11-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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