一种有效的选择性去除氮化硅的湿法蚀刻方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种有效的选择性去除氮化硅的湿法蚀刻方法，涉及半导体技术领域，包括：步骤S1，提供一晶圆，所述晶圆的上表面生长有氮化硅层和氧化硅层；步骤S2，向所述晶圆的上表面喷淋具有一第一预设温度的一磷酸混合溶液，以对所述氮化硅层进行选择性湿法蚀刻；步骤S3，向所述晶圆的上表面喷淋具有一第二预设温度的所述磷酸混合溶液，以对所述氮化硅层再次进行选择性湿法蚀刻，以制备得到去除所述氮化硅层同时保留所述氧化硅层的所述晶圆；所述第二预设温度大于所述第一预设温度。有益效果是通过对晶圆上表面的两次选择性湿法蚀刻，在有效去除氮化硅层的同时能够制备得到表面平整度及洁净度较高的晶圆。
基本信息
专利标题 ：
一种有效的选择性去除氮化硅的湿法蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420558A
申请号 ：
CN202111655458.7
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐宝国张九勤邓信甫林忠宝
申请人 ：
上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫海路170号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
竺路玲
优先权 ：
CN202111655458.7
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/311
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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