本实用新型涉及半导体器件制造技术领域，提供了一种湿法蚀刻装置，湿法蚀刻装置的刻槽包括外槽及内槽，内槽设置在外槽中，内槽设置为上方开口的结构，用于容纳待蚀刻的衬底，并且内槽的上表面低于外槽的上表面，蚀刻过程中，外槽中的蚀刻溶液的液面低于内槽的上表面，内槽中充满蚀刻液，内槽内的蚀刻液自上方开口溢出至外槽，循环泵将外槽中的蚀刻溶液抽回至内槽，实现蚀刻液的循环流动，提升蚀刻液的均匀性，同时蚀刻溶液与衬底表面形成相对运动，降低纵向蚀刻与横向蚀刻的蚀刻速率差异。支撑结构设置为沿内槽的高度方向可上下移动，并且可以带动衬底360°旋转，使蚀刻溶液浓度分布均匀化及温场的均匀性，提升不同位置蚀刻的速率及性能均性化。