一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法,具体包括以下步骤:步骤S1,控制一机器人将一晶圆放置到一放置台上,并控制放置台上的一通气装置输出一高压气流以使晶圆悬浮于放置台上;步骤S2,喷淋一第一清洗液至晶圆的表面进行高温化学蚀刻,以及喷淋一第二清洗液至晶圆的侧面进行湿法处理,并控制机器人将晶圆取下。有益效果是本方法通过通气设备输出高压气流使晶圆处于悬浮状态,并对晶圆进行非接触式清洗,对晶圆的上表面喷淋第一清洗液进行高温化学蚀刻,对晶圆的侧面喷淋第二清洗液进行湿法处理,在晶圆的下表面喷射高压气流,以此实现对晶圆全方位的清洗、蚀刻与保护,并通过稳定加热的第一清洗液实现稳定的高温化学蚀刻反应。
基本信息
专利标题 :
一种实现高温化学蚀刻反应的湿法处理方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114420593A
申请号 :
CN202111647150.8
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
廖世保邓信甫陈丁堃
申请人 :
上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司
申请人地址 :
上海市闵行区紫海路170号
代理机构 :
上海申新律师事务所
代理人 :
竺路玲
优先权 :
CN202111647150.8
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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