一种有效达成高温化学蚀刻反应的晶圆清洗蚀刻系统
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种有效达成高温化学蚀刻反应的晶圆清洗蚀刻系统，包括：清洗蚀刻装置，用于对未处理晶圆进行清洗蚀刻；控制模块，包括：第一控制单元，用于控制第一传送带将未处理晶圆输送至指定位置，并控制第一机器人本体带动第一吸附组件移动至未处理晶圆的上表面并吸附；第二控制单元，用于控制第一机器人本体将未处理晶圆放置到放置台中进行清洗及高温化学蚀刻；第三控制单元，用于控制第二机器人本体带动第二吸附组件移动至已处理晶圆的上表面并吸附；第四控制单元，用于控制第二机器人本体将已处理晶圆放置到第二传送带上。有益效果是本系统能够实现运输流程和清洗流程自动化，且对晶圆进行稳定的高温化学蚀刻以提高晶圆的品质参数。
基本信息
专利标题 ：
一种有效达成高温化学蚀刻反应的晶圆清洗蚀刻系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420594A
申请号 ：
CN202111647211.0
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邓信甫孟庆璋卢证凯韩月菲
申请人 ：
上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫海路170号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
竺路玲
优先权 ：
CN202111647211.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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