一种适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法，涉及到半导体技术领域，S1、提供晶圆，控制晶圆旋转，并向晶圆表面通入NMP溶剂和胺的混合溶液，同时并加载超声波；S2、超纯水清洗，通过雾化喷头向晶圆表面通入超纯水移除晶圆表面的NMP溶剂和胺的混合溶液；S3、向晶圆表面通入异丙醇，并在晶圆的表面覆盖一层纳米级异丙醇薄膜；S4、向晶圆的表面通入二氧化碳并进行干燥后取出晶圆。本发明中的晶圆化学品蚀刻后的清洗方法在通入混合溶液时并通入超声波，能够与晶圆表面的残留化学液和聚合物反应，然后再通入超纯水直接去除混合液，能够提高清洗效果和清洗效率，且能够降低清洗成本。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114405908A
申请号 ：
CN202111674369.7
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈新来刘大威邓信甫唐宝国
申请人 ：
至微半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫海路170号1幢3层03室
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
竺路玲
优先权 ：
CN202111674369.7
主分类号 ：
B08B3/02
IPC分类号 ：
B08B3/02 B08B3/12 H01L21/02
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B08
清洁
B08B
一般清洁；一般污垢的防除
B08B3/00
使用液体或蒸气的清洁方法
B08B3/02
用喷射力来清洁
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B08B 3/02
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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