晶圆蚀刻装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种晶圆蚀刻装置，其用于以一工作流体蚀刻一晶圆，且其包括一浸泡机构、一旋转马达、一开闭机构及一注液喷嘴。浸泡机构包括用于承载晶圆的一载具及用于圈套于晶圆外缘以供盛装工作流体的一环壁。旋转马达连动载具而能够驱动载具旋转。开闭机构连动浸泡机构以驱动载具及环壁相对移动而使晶圆进出环壁。注液喷嘴用于供应工作流体，其设置在浸泡机构的一侧且朝向环壁内配置。
基本信息
专利标题 ：
晶圆蚀刻装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446815A
申请号 ：
CN202011191678.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冯傳彰刘茂林吴庭宇
申请人 ：
辛耘企业股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北市内湖区瑞光路208号11楼
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
张燕华
优先权 ：
CN202011191678.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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