晶片蚀刻装置
专利申请权、专利权的转移
摘要
本公开涉及一种用于蚀刻晶片的晶片蚀刻装置，该晶片蚀刻装置包括：在其内部设置蚀刻剂和晶片的浴槽；输入管，所述输入管设置有第一孔，蚀刻剂通过所述第一孔被引入到浴槽中；和排出管，所述排出管设置有第二孔，蚀刻剂通过所述第二孔从浴槽内部离开，其中输入管的第一孔和排出管的第二孔被布置成相对于晶片具有高度差。
基本信息
专利标题 ：
晶片蚀刻装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109300803A
申请号 ：
CN201711128503.7
公开（公告）日 ：
2019-02-01
申请日 ：
2017-11-15
授权号 ：
CN109300803B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
尹炳文
申请人 ：
无尽电子有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市中伦律师事务所
代理人 ：
李波
优先权 ：
CN201711128503.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/67
登记生效日 : 20220601
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无尽电子有限公司
变更后权利人 : 艾斯宜株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20220601
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无尽电子有限公司
变更后权利人 : 艾斯宜株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
2022-04-22 ：
授权
2019-03-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20171115
申请日 : 20171115
2019-02-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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