通过在分割期间或之后进行蚀刻来增强晶片强度
专利权的终止
摘要
将具有有源层的半导体晶圆11在有源层远离载体13的状态下固定到载体上，并从半导体晶圆的主表面开始，在载体上至少部分地分割该半导体晶圆。用自发性反应蚀刻剂140从该主表面开始在载体上蚀刻至少部分地被分割的半导体晶圆，以从由至少部分地被分割的半导体晶圆生成的晶片上去除足够的半导体材料，通过消除至少一些由于分割而造成的缺陷来改善晶片的抗挠抗弯强度。
基本信息
专利标题 ：
通过在分割期间或之后进行蚀刻来增强晶片强度
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101088157A
申请号 ：
CN200580044175.1
公开（公告）日 ：
2007-12-12
申请日 ：
2005-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·博伊尔D·吉伦K·邓恩E·费尔南德斯戈麦斯R·托夫尼斯
申请人 ：
XSIL技术有限公司
申请人地址 ：
爱尔兰都柏林
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
沙捷
优先权 ：
CN200580044175.1
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/3065
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2018-10-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/78
申请日 : 20051101
授权公告日 : 20100623
终止日期 : 20171101
申请日 : 20051101
授权公告日 : 20100623
终止日期 : 20171101
2010-06-23 ：
授权
2009-12-23 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : XSIL技术有限公司
变更后权利人 : 伊雷克托科学工业股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 爱尔兰都柏林
变更后权利人 : 美国俄勒冈州
登记生效日 : 20091120
变更前权利人 : XSIL技术有限公司
变更后权利人 : 伊雷克托科学工业股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 爱尔兰都柏林
变更后权利人 : 美国俄勒冈州
登记生效日 : 20091120
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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