利用低温晶片温度的离子束蚀刻
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摘要
本发明涉及利用低温晶片温度的离子束蚀刻。本文的实施方式涉及用于在半导体衬底中蚀刻特征的方法和装置。在许多情况下，可在形成自旋扭矩转移随机存取存储器(STT‑RAM)装置的同时蚀刻特征。在各种实施方式中，在特定的处理步骤期间衬底可经由冷却的衬底支撑件被冷却到低温。冷却的衬底支撑件可在减少所得器件中扩散相关的损伤程度方面具有有益的影响。此外，在某些其它处理步骤期间使用未冷却的衬底支撑件同样可在减少扩散相关的损伤方面具有有益的影响，具体取决于特定步骤。在一些实施方式中，冷却的衬底支撑件可用于在衬底的某些部分上优先沉积材料(在一些情况下为反应物)的工艺中。所公开的实施方式可用于实现高质量的各向异性蚀刻结果。
基本信息
专利标题 ：
利用低温晶片温度的离子束蚀刻
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110634726A
申请号 ：
CN201910836307.8
公开（公告）日 ：
2019-12-31
申请日 ：
2017-02-24
授权号 ：
CN110634726B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
索斯藤·利尔伊凡·L·贝瑞三世安东尼·里奇
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
李献忠
优先权 ：
CN201910836307.8
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67 H01L43/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-01-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20170224
申请日 : 20170224
2019-12-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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