原子层蚀刻和离子束蚀刻图案化
实质审查的生效
摘要
提供了一种相对于掩模而选择性蚀刻堆叠件的方法。提供原子层蚀刻以至少对所述堆叠件进行部分蚀刻，其中所述原子层蚀刻形成至少一些残留物。提供离子束以蚀刻所述堆叠件，其中所述离子束蚀刻将来自所述原子层蚀刻的所述残留物中的至少一些移除。
基本信息
专利标题 ：
原子层蚀刻和离子束蚀刻图案化
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114430858A
申请号 ：
CN202080064672.2
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2020-09-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
萨曼莎·西亚姆华·坦塔玛尔·穆克吉杨文兵吉里什·迪克西特潘阳
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
樊英如
优先权 ：
CN202080064672.2
主分类号 ：
H01L21/3213
IPC分类号 ：
H01L21/3213 H01L21/67 H01L43/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
H01L21/321
后处理
H01L21/3213
对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3213
申请日 : 20200909
申请日 : 20200909
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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