用于制造具有蚀刻终止层的绝缘体上硅（SOI）晶片的方法
专利权的终止
摘要
公开具有覆盖在埋氧层(120)上的蚀刻终止层(130)的绝缘体上硅(SOI)晶片的实施例以及该晶片的制造方法的实施例。该蚀刻终止层可以包括氮化硅、氮掺杂二氧化硅或氮氧化硅以及这些材料的一些组合。还描述和要求其它实施例。
基本信息
专利标题 ：
用于制造具有蚀刻终止层的绝缘体上硅（SOI）晶片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044611A
申请号 ：
CN200580035507.X
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·托尔钦斯基M·吉尔斯M·麦斯维尼M·沙赫恩I·亚布洛克
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
曾祥夌
优先权 ：
CN200580035507.X
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L21/318 H01L21/265 H01L21/78 H01L21/316 H01L21/82
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2014-12-31 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101593357746
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利号 : ZL200580035507X
申请日 : 20051109
授权公告日 : 20110803
终止日期 : 20131109
号牌文件序号 : 101593357746
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利号 : ZL200580035507X
申请日 : 20051109
授权公告日 : 20110803
终止日期 : 20131109
2011-08-03 ：
授权
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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