具有蚀刻终止层的装置和其相关方法
公开
摘要
本公开涉及具有蚀刻终止层的装置和其相关方法。一种装置包括：衬底；绝缘层，其包括形成于所述衬底的上表面上方的蚀刻终止层；形成于所述绝缘层上方的第一导电区；以及形成于所述衬底内的开口，所述开口从所述衬底的下表面延伸、穿过所述衬底的所述上表面并穿过所述绝缘层的至少一部分，终止于所述第一导电区上。一种用于形成所述装置的方法包括：形成所述衬底；在所述衬底的所述上表面上方形成包括所述蚀刻终止层的所述绝缘层；在所述绝缘层上方形成第一导电区；以及在所述衬底内形成开口，所述开口从所述衬底的所述下表面延伸、穿过所述衬底的所述上表面并穿过所述绝缘层的至少一部分，在形成于所述绝缘层上方的所述第一导电区上终止。
基本信息
专利标题 ：
具有蚀刻终止层的装置和其相关方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373715A
申请号 ：
CN202110928506.9
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-08-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岳远征J·A·特普林B·M·格林F·R·克莱顿
申请人 ：
恩智浦美国有限公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
张小稳
优先权 ：
CN202110928506.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L29/20 H01L29/812 H01L21/338
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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