晶圆清洗装置
授权
摘要
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置。所述晶圆清洗装置包括：支撑台，用于承载晶圆；第一喷嘴，位于所述支撑台上方，用于向位于所述支撑台表面的所述晶圆喷射气体，所述第一喷嘴能够在与所述晶圆的中心对准的位置调整气体喷射角度，使得所述第一喷嘴能够倾斜喷射气体；控制组件，连接所述第一喷嘴，用于驱动所述第一喷嘴以固定的气体喷射角度沿自与所述晶圆的中心对准的位置向与所述晶圆的边缘对准的位置移动。本实用新型减少甚至是避免了晶圆表面颗粒物的残留，提高了晶圆表面的洁净度；同时，避免了晶圆表面中心区域图案的坍塌，提高了晶圆产品的良率。
基本信息
专利标题 ：
晶圆清洗装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922119690.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN210837677U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
吴奇龙
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201922119690.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210837677U.PDF
PDF下载
