一种高效化学蚀刻槽
授权
摘要
本实用新型公开了一种高效化学蚀刻槽，包括底板、溶液槽，喷淋壳体，所述底板上表面固定连接有溶液槽，且所述底板中部开设通孔，所述底板上部设置有网孔板，所述网孔板与溶液槽内壁固定连接，所述溶液槽外壁上固定连接有喷淋壳体，所述喷淋壳体位于溶液槽远离底板一端，所述喷壳体内壁对称固定连接有喷淋管，所述喷淋管上等距固定连接有喷淋头，所述底板下边表面固定连接有固定座，所述固定座内部固定连接有快排阀，且快排阀与底板上通孔同心，所述溶液槽一侧面上对称开设有腰形孔，所述溶液槽开设有腰形孔的一侧面外壁上固定连接有无杆气缸，此蚀刻装置，结构简单，且安全性强，造价低，实用性比较强。
基本信息
专利标题 ：
一种高效化学蚀刻槽
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020971120.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-01
授权号 ：
CN212625495U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
魏剑宏
申请人 ：
苏州昂科微电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州相城经济技术开发区澄阳路116号阳澄湖国际科技创业园1号楼208室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020971120.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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