批次式湿法蚀刻清洗装置
授权
摘要
本实用新型公开一种批次式湿法蚀刻清洗装置,其包括一清洗槽、两上给水槽、一外管线以及一排水帮浦。在所述清洗槽内形成一主槽腔室。在所述主槽腔室内设置有一层流板以将所述主槽腔室区分为一上腔室以及一下腔室。在所述清洗槽上贯穿设置有至少一与所述下腔室相连通的下溢流管。所述两上给水槽设置在所述清洗槽外侧。各所述上给水槽内形成一与所述主槽腔室相连通的给水腔室。在各所述上给水槽上贯穿设置有一上给水管。所述外管线贯穿设置在所述清洗槽上且与所述下腔室相连通。所述排水帮浦设置在所述外管线上。所述清洗装置可节省所使用的去离子水,进而降低清洗晶圆的成本。
基本信息
专利标题 :
批次式湿法蚀刻清洗装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920404333.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-03-28
授权号 :
CN209880549U
授权日 :
2019-12-31
发明人 :
蔡汉平
申请人 :
政汉电子科技有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹市北区南寮里4邻中清一路22之7号1楼
代理机构 :
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
翟羽
优先权 :
CN201920404333.9
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-12-31 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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