一种蚀刻清洗装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种蚀刻清洗装置，其包括依次连通的蚀刻区、减速清洗区、转弯清洗区和缓冲清洗区；蚀刻区和减速清洗区沿第一方向连通，缓冲清洗区沿第二方向设置；蚀刻区、减速清洗区、转弯清洗区和缓冲清洗区的腔内底部均设置有滚轮，蚀刻区、减速清洗区、转弯清洗区和缓冲清洗区的腔内顶部均设置有喷头；蚀刻区和减速清洗区内的滚轮沿第一方向滚动，缓冲清洗区内的滚轮沿第二方向滚动，转弯清洗区内的滚轮沿第三方向滚动；减速清洗区与转弯清洗区上的滚轮具有第一转动速度，缓冲清洗区上的滚轮具有第二转动速度；第二转动速度大于第一转动速度。本实用新型能够减少晶圆破片现象，并能够降低宕机率，从而提高了产能，降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种蚀刻清洗装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022477899.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
CN213340298U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
兰升友徐瑞林易熊军文成龙肖清凯
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱阳波
优先权 ：
CN202022477899.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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