一种湿法蚀刻机台
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摘要

本实用新型公开了一种湿法蚀刻机台,所述湿法蚀刻机台为密闭的腔室,包括载入端结构;所述载入端结构包括第一感应门、载入端、第一传导机构和传感器,所述湿法蚀刻机台的一侧设置有所述第一感应门,所述载入端位于所述湿法蚀刻机台内,所述第一传导机构的一端与所述第一感应门连接,所述第一传导机构的另一端与所述载入端连接,所述第一传导机构的一部分延伸到所述第一感应门外,所述晶舟放置在所述第一传导机构上,所述湿法蚀刻机台上设置有多个传感器。无需操作人员提前开启第一感应门,只需将晶舟放到机台外部的载台上,消除机台内的挥发性化学液体扩散到机台外对人体造成危害,同时缩短操作人员的操作时间,提高效率,安全可靠。

基本信息
专利标题 :
一种湿法蚀刻机台
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922096963.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-29
授权号 :
CN210805715U
授权日 :
2020-06-19
发明人 :
温春兰吴海达蔡松智
申请人 :
福建省福联集成电路有限公司
申请人地址 :
福建省莆田市涵江区江口镇赤港涵新路3688号
代理机构 :
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
徐剑兵
优先权 :
CN201922096963.7
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-06-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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