在半导体器件制造过程中选择性去除氮化硅的蚀刻组合物和方法
公开
摘要
所公开和要求保护的主题涉及一种蚀刻组合物，其包含(A)磷酸和(B)包含(i)含硅化合物和(ii)水性溶剂的混合物。在一些实施方案中，蚀刻组合物包含另外的成分。蚀刻组合物可用于在微电子器件的制造过程中从具有氧化硅和氮化硅材料的微电子器件上相对于氧化硅选择性地去除氮化硅。
基本信息
专利标题 ：
在半导体器件制造过程中选择性去除氮化硅的蚀刻组合物和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114466852A
申请号 ：
CN202080068430.0
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
葛智逵李翊嘉刘文达吴爱萍孙来生
申请人 ：
弗萨姆材料美国有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
吴亦华
优先权 ：
CN202080068430.0
主分类号 ：
C07F7/08
IPC分类号 ：
C07F7/08 C07F7/18 C09K13/04 C09K13/06 H01L21/02 H01L21/311
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F7/00
含周期表第4或14族元素的化合物
C07F7/02
硅化合物
C07F7/08
具有1个或更多的C-Si键的化合物
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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