金属氮化物的选择性湿蚀刻
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在一实施方案中，本发明涉及一种湿蚀刻组合物，其包括过氧化氢、有机鎓氢氧化物和酸。在另一实施方案中，本发明涉及一种相对周围结构选择性地湿蚀刻金属氮化物的方法，该周围结构包含一种或多种硅、氧化硅、玻璃、PSG、BPSG、BSG、氮氧化硅、氮化硅和碳氧化硅或其组合或混合和/或光致抗蚀剂材料，该方法包括步骤：提供一种含有过氧化氢、有机鎓氢氧化物和酸的湿蚀刻组合物；暴露金属氮化物以在一定温度下用湿蚀刻组合物蚀刻一段时间，所述时间和温度使得相对周围结构有效地选择性蚀刻金属氮化物。
基本信息
专利标题 ：
金属氮化物的选择性湿蚀刻
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101248516A
申请号 ：
CN200680019359.7
公开（公告）日 ：
2008-08-20
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
威廉·A·沃伊特恰克迪安·德维尔夫
申请人 ：
塞克姆公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
北京邦信阳专利商标代理有限公司
代理人 ：
王昭林
优先权 ：
CN200680019359.7
主分类号 ：
H01L21/3213
IPC分类号 ：
H01L21/3213
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
H01L21/321
后处理
H01L21/3213
对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层
法律状态
2009-12-16 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-10-15 ：
实质审查的生效
2008-08-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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