用于高的氮化硅对氧化硅去除速率比率的抛光组合物及方法
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摘要
本发明提供一种化学－机械抛光组合物，包括阳离子磨料、阳离子聚合物、羧酸和水。本发明还提供使用上述抛光组合物化学－机械抛光基底的方法。所述抛光组合物显示出氮化硅去除对氧化硅去除的选择性。
基本信息
专利标题 ：
用于高的氮化硅对氧化硅去除速率比率的抛光组合物及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101065458A
申请号 ：
CN200580040887.6
公开（公告）日 ：
2007-10-31
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
菲利普·卡特蒂莫西·约翰斯
申请人 ：
卡伯特微电子公司
申请人地址 ：
美国伊利诺伊州
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
宋莉
优先权 ：
CN200580040887.6
主分类号 ：
C09G1/02
IPC分类号 ：
C09G1/02 H01L21/304
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09G
抛光组合物；滑雪屐蜡
C09G1/00
抛光组合物
C09G1/02
含有磨料或研磨剂
法律状态
2021-08-03 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C09G 1/02
变更事项 : 专利权人
变更前 : 卡伯特微电子公司
变更后 : CMC材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国伊利诺伊州
变更后 : 美国伊利诺伊州
变更事项 : 专利权人
变更前 : 卡伯特微电子公司
变更后 : CMC材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国伊利诺伊州
变更后 : 美国伊利诺伊州
2012-09-05 ：
授权
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2007-10-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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