用于激光裂片技术制备SOI硅片的机台

授权

摘要

一种采用激光裂片技术制备SOI硅片的机台，包括基座，所述基座上从左向右依次装有裂片箱、加热箱、晶盘，所述晶盘固定于送料盘上，所述加热箱内安装有保温管，所述保温管内套有炉管，所述炉管的左端固定有激光发射头，所述加热箱的顶端安装有冷却设备。其有益效果是：使用激光加热方式裂片可以消除氢离子注入层带来的晶格缺陷、金属夹杂、清除表面吸附物质、改善表面粗糙度及生产效率较高。

基本信息

专利标题：

用于激光裂片技术制备SOI硅片的机台

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109148317A

申请号：

CN201710451495.3

公开（公告）日：

2019-01-04

申请日：

2017-06-15

授权号：

CN109148317B

授权日：

2022-05-10

发明人：

李卿王晶雨

申请人：

沈阳硅基科技有限公司

申请人地址：

辽宁省沈阳市沈阳出口加工区浑南东路15-22号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201710451495.3

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67 H01L21/762

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2022-05-10 ：

授权

2020-04-24 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20170615

2019-01-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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