用于优化有源区应变和改善激光二极管性能的被应变设计的包覆...
公开
摘要
一些实施例可包括激光二极管，该激光二极管具有用于优化有源区应变和改善激光二极管性能的被应变设计的包覆层。在一个实施例中，激光二极管可以包括具有第一晶格常数的材料成分的半导体衬底；以及在半导体衬底上形成的多个外延层，多个外延层包括波导层和包覆层，其中，波导层包括具有与目标光波长相关的材料成分的有源区，其中，有源区的材料成分的第二晶格常数不同于第一晶格常数；其中，包覆层的单个包覆层的材料成分和/或厚度被设置成在有源区上施加目标应力场，以优化有源区应变。可以公开和/或要求保护其他实施例。
基本信息
专利标题 ：
用于优化有源区应变和改善激光二极管性能的被应变设计的包覆层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503381A
申请号 ：
CN202080068797.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-09-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈之纲M·坎斯卡
申请人 ：
恩耐公司
申请人地址 ：
美国华盛顿州
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王永建
优先权 ：
CN202080068797.2
主分类号 ：
H01S5/30
IPC分类号 ：
H01S5/30 H01S5/068
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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