形成掺杂源极/漏极触点的方法及由其形成的结构
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摘要
描述了形成锗沟道结构的方法。一个实施例包括在衬底上形成锗鳍状物，其中，锗鳍状物的一部分包括锗沟道区域，在锗沟道区域上形成栅极材料，以及相邻于锗沟道区域形成渐变的源极/漏极结构。渐变的源极/漏极结构在与锗沟道区域相邻处所包括的锗浓度比在源极/漏极接触区域处高。
基本信息
专利标题 ：
形成掺杂源极/漏极触点的方法及由其形成的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108292674A
申请号 ：
CN201580084813.6
公开（公告）日 ：
2018-07-17
申请日 ：
2015-12-24
授权号 ：
CN108292674B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
G·格拉斯K·贾姆布纳坦A·默西C·莫哈帕特拉S·金
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
林金朝
优先权 ：
CN201580084813.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-01-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20151224
申请日 : 20151224
2018-07-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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