具有分割的漏极选择栅极线的三维存储装置及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种存储装置包括在衬底之上的堆叠结构、在堆叠结构中延伸的沟道结构、以及在沟道结构之上的电介质层。电介质层包括第一材料。存储装置还可以包括延伸穿过电介质层的漏极选择栅(DSG)切口结构。DSG切口结构包括不同于第一材料的第二材料。
基本信息
专利标题 ：
具有分割的漏极选择栅极线的三维存储装置及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342077A
申请号 ：
CN202180004959.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王迪顾妍夏志良周文犀霍宗亮
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京永新同创知识产权代理有限公司
代理人 ：
林锦辉
优先权 ：
CN202180004959.0
主分类号 ：
H01L27/11524
IPC分类号 ：
H01L27/11524 H01L27/11556 H01L27/1157 H01L27/11582 H01L27/11575 H01L27/11548
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的，例如，NAND
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11524
申请日 : 20211213
申请日 : 20211213
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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