垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种导通电阻小、导电性能好、栅极电容小、交流反应快的垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管。本实用新型包括硅衬底(1)、漏极金属(2)、源极金属(3)、栅极金属(4)、外延层(8)、氧化层(9)、阱区(51)、源区(52)、栅氧化层(60、61)、多晶硅栅极(7)，氧化层(9)内有通孔(90)，源极金属(3)、栅极金属(4)填充通孔(90)并分别与阱区(51)、源区(52)及多晶硅栅极(7)相连接，位于栅氧化层(61)上的每条多晶硅栅极(7)中间断开分成两部分(71、72)，两部分多晶硅栅极(71、72)之间相应的下方阱区(51)之间有悬浮漏区(53)。本实用新型可广泛应用于集成电路领域。
基本信息
专利标题 ：
垂直型自对准悬浮漏极MOS三极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620154567.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-12-08
授权号 ：
CN200986919Y
授权日 ：
2007-12-05
发明人 ：
吴纬国
申请人 ：
广州南科集成电子有限公司
申请人地址 ：
510663广东省广州市经济技术开发区科学城光谱中路
代理机构 ：
广州市红荔专利代理有限公司
代理人 ：
李彦孚
优先权 ：
CN200620154567.5
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L29/78 H01L29/41
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2011-02-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101037106403
IPC(主分类) : H01L 27/088
专利号 : ZL2006201545675
申请日 : 20061208
授权公告日 : 20071205
终止日期 : 20100108
号牌文件序号 : 101037106403
IPC(主分类) : H01L 27/088
专利号 : ZL2006201545675
申请日 : 20061208
授权公告日 : 20071205
终止日期 : 20100108
2007-12-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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