高速硅光敏三极管
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
本发明是一种改进的硅光敏器件。它利用PN结对光生少数载流子的侧向收集作用，把光敏管的集电结设计成网状，使受光面包括了基区表面和网眼集电区表面两部分。从而达到了既减小集电结面积又不减小受光面的目的。若把发射区设计成细条结构并选用适当电阻率、较薄层厚的硅外延片为衬底材料，则此硅光敏三极管的响应时间可降低到0.5微秒以下。
基本信息
专利标题 ：
高速硅光敏三极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85105936A
申请号 ：
CN85105936.8
公开（公告）日 ：
1987-02-18
申请日 ：
1985-08-08
授权号 ：
CN85105936B
授权日 ：
1987-11-25
发明人 ：
何民才
申请人 ：
武汉大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌珞珈山三区160号
代理机构 ：
武汉大学专利事务所
代理人 ：
陈畅生
优先权 ：
CN85105936.8
主分类号 ：
H01L31/10
IPC分类号 ：
H01L31/10
法律状态
1991-01-02 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1988-06-08 ：
授权
1987-11-25 ：
审定
1987-02-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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