敏紫外硅光敏三极管
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种敏紫外硅光敏三极管，它适用于检测从紫外(190nm)到近红外(1100nm)的入射辐射。它采用栅状或网状基区结构，主要以集电区作为直接受光面，大大地提高了集电结对紫外光谱区光生载流子的收集效率，实现了从紫外到近红外的光电探测。
基本信息
专利标题 ：
敏紫外硅光敏三极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN86204468.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1986-07-02
授权号 ：
CN86204468U
授权日 ：
1987-01-28
发明人 ：
陈伟秀
申请人 ：
武汉大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌珞珈山
代理机构 ：
武汉大学专利事务所
代理人 ：
龚茂铭
优先权 ：
CN86204468.5
主分类号 ：
H01L31/10
IPC分类号 ：
H01L31/10
法律状态
1990-03-14 ：
专利权的终止
1987-08-19 ：
授权
1987-01-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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