制造高灵敏度光敏三极管的方法
被视为撤回的申请
摘要
一种利用高电阻率N型硅单晶制造高灵敏度光敏三极管的方法。对原有的工艺流程和工艺条件做了改进，消除了用原有工艺制出的光敏三极管存在的一种在光照下电流电压关系出现负阻区域，随后电流激剧增大的开通现象。从而，可以制出高灵敏度大电流的光敏三极管，提高制管成品率，提高使用可靠性，比用外延片制造高灵敏度光敏三极管，成本低，对近红外光(例如波长为0.9微米的光)的分光灵敏度高。本方法适用于电阻率5欧姆·厘米以上的N型硅单晶。
基本信息
专利标题 ：
制造高灵敏度光敏三极管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85103782A
申请号 ：
CN85103782
公开（公告）日 ：
1986-11-12
申请日 ：
1985-05-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张君和
申请人 ：
武汉大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌珞珈山
代理机构 ：
武汉大学专利事务所
代理人 ：
龚茂铭
优先权 ：
CN85103782
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/04 H01L31/10
法律状态
1989-04-26 ：
被视为撤回的申请
1987-07-22 ：
实质审查请求
1986-11-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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