光敏三极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种光敏三极管及其制备方法，管芯，管芯包括：N型轻掺杂外延层；P型轻掺杂区，位于N型轻掺杂外延层内；P型重掺杂区，位于P型轻掺杂区的外围；N型重掺杂区，位于P型轻掺杂区内，N型重掺杂区为光敏三极管的发射区。上述光敏三极管中，在P型轻掺杂区外围形成有P型重掺杂区，可以大大降低表面态对光敏三极管的影响，可以显著降低集电极与发射区之间的漏电流。
基本信息
专利标题 ：
光敏三极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335233A
申请号 ：
CN202111643892.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱治中
申请人 ：
苏州半导体总厂有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市姑苏区新市路3号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
郑元博
优先权 ：
CN202111643892.3
主分类号 ：
H01L31/11
IPC分类号 ：
H01L31/11 H01L31/0352 H01L31/0216 H01L31/18
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/11
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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