一种红外光敏三极管芯片结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种红外光敏三极管芯片结构，包括：背金层，形成集电极；外延片，所述外延片的型号为N<100>，所述外延片包括外延层和外延衬底，所述外延衬底覆盖在所述背金层上，由N型CZ硅单晶制成，所述外延层覆盖在所述外延衬底上，所述外延层的厚度为30‑40μm，电阻率为10‑16Ω·cm，所述外延层远离外延衬底设有基区和发射区，所述发射区设置在所述基区内；氧化层，覆盖在所述外延层上，所述氧化层的厚度为氮化硅膜，覆盖在所述氧化层上，所述氮化硅膜的厚度为
折射率为1.9‑2.1，所述发射区连接有发射极，所述发射极穿透所述氧化层和所述氮化硅膜向外。本实用新型的一种红外光敏三极管芯片结构，提高了红外光的转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种红外光敏三极管芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921386000.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-23
授权号 ：
CN210092111U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
李星男江秉闰
申请人 ：
深圳市星华灿科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区西乡街道固戍社区宝安大道4197号润丰工业园C栋宿舍710
代理机构 ：
深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何兵
优先权 ：
CN201921386000.4
主分类号 ：
H01L31/11
IPC分类号 ：
H01L31/11 H01L31/0224 H01L31/0352
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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