三极管封装结构
授权
摘要
本实用新型包括封装外壳，所述封装外壳内设有集电区、基区和发射区，所述封装外壳顶部和两侧均开设有穿孔，所述集电区向上引出集电电极，所述基区向上引出基区电极，所述发射区均向上引出发射电极，所述基区电极通过封装外壳顶部的穿孔穿出，所述封装外壳表面一体成型有散热片；散热片的设置有助于帮助整体三极管的封装结构在工作的时候加强散热，增加使用寿命；穿孔与电极之间胶接有硅胶密封圈有助于加强封装结构内的密封性，防止内部物体流出或外部气体水分进入影响结构；集电电极的长度为发射电极长度的两倍有助于进行区分；折痕的设置不但能够使得使用者分清楚电极还可以进行电极长度的裁切。
基本信息
专利标题 ：
三极管封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920659247.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-09
授权号 ：
CN209571403U
授权日 ：
2019-11-01
发明人 ：
姚磊
申请人 ：
无锡光磊电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市清源路20号大学科技园立业楼E栋207室
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王闯
优先权 ：
CN201920659247.2
主分类号 ：
H01L23/02
IPC分类号 ：
H01L23/02 H01L23/367 H01L29/73
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
法律状态
2019-11-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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