新型光敏电阻及其制备方法

专利权的终止

摘要

本发明为光敏电阻技术领域提供一种新型光敏电阻及其制备方法，其主要特征是具有Al₂O₃陶瓷基座和Al₂O₃陶瓷基片，在Al₂O₃陶瓷基片上喷涂有CdS和CdSe，形成光敏膜层，制成光敏电阻芯片；在Al₂O₃陶瓷基座上设有空槽，光敏电阻芯片镶嵌在Al₂O₃陶瓷基座上的空槽内，真空镀膜形成电极，用导电银浆对芯片和基座及引线进行连接。由于本发明采取了上述技术方案，通过本发明制备的光敏电阻不仅大量节约原材料CdS和CdSe，降低产品成本，而且方法简单，可操作性强，新制成的产品具有稳定性好，一致性好，环保可靠等特点，完全符合欧盟ROHS标准对产品中Cd含量的要求。

基本信息

专利标题：

新型光敏电阻及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1767218A

申请号：

CN200510048590.6

公开（公告）日：

2006-05-03

申请日：

2005-11-12

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

丁镇赓邢志平

申请人：

南阳利达光电有限公司电子公司

申请人地址：

473000河南省南阳市工业路508号

代理机构：

南阳市智博维创专利事务所

代理人：

王帆

优先权：

CN200510048590.6

主分类号：

H01L31/08

IPC分类号：

H01L31/08 H01L31/18