基于氧化铅的光敏设备及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种用于制造具有光敏层的光响应设备的方法。该方法包括以下步骤：a)在抽空的蒸发室内部提供干净的衬底；b)从第一坩埚中蒸发氧化铅(PbO)以在衬底的表面上形成籽晶层；c)使籽晶层感光，从而仅仅四方晶系的氧化铅形成籽晶层和/或从而使形成籽晶层的最初生长的斜方晶系的氧化铅变换成四方晶系的氧化铅；以及d)继续蒸发氧化铅，直到已经将最终厚度的光敏层沉积到衬底上。因此，该方法产生包括氧化铅的光敏层的光响应设备，其完全由四方晶系的氧化铅组成。
基本信息
专利标题 ：
基于氧化铅的光敏设备及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101116189A
申请号 ：
CN200680004364.0
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·西蒙D·U·韦彻特C·菲尔德曼
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
李静岚
优先权 ：
CN200680004364.0
主分类号 ：
H01L31/115
IPC分类号 ：
H01L31/115 H01L31/032 C01G21/06 H01L31/09
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法律状态
2018-02-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 31/115
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20130213
终止日期 : 20170126
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20130213
终止日期 : 20170126
2013-02-13 ：
授权
2008-04-09 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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