ABS塑料基二氧化铅电极的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是属于ABS塑料基二氧化铅电极的制造方法。现有技术制成的这种电极，其二氧化铅层易剥落，使其没有实际使用价值。本发明采取：基片表面预处理、接石墨头、化学沉积、电沉积、检验等工序，并解决了工艺条件这一决定质量的实质性问题，使制出电极的二氧化铅沉积层无裂痕，不易松脱剥落，在电化学工业中的应用成为现实。
基本信息
专利标题 ：
ABS塑料基二氧化铅电极的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1031725A
申请号 ：
CN87104462.5
公开（公告）日 ：
1989-03-15
申请日 ：
1987-06-24
授权号 ：
CN1006306B
授权日 ：
1990-01-03
发明人 ：
池乃书阮秀英张永祥
申请人 ：
福建师范大学
申请人地址 ：
福建省福州市仓山区长安山福建师范大学图书馆内
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN87104462.5
主分类号 ：
C25B11/16
IPC分类号 ：
C25B11/16
法律状态
1995-08-16 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-08-29 ：
授权
1990-01-03 ：
审定
1989-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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