一种栅极自对准的垂直纳米空气沟道三极管制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种栅极自对准的垂直纳米空气沟道三极管制备方法,属于半导体晶体管技术领域。该制备方法首先在衬底上形成第一台面,再依次沉积介质层和第二台面,利用在存在高度差的衬底和第一台面同时沉积介质和第二台面的技术,可实现栅极与源漏极之间的自对准,精度可达纳米级。该方法采用普通紫外光刻和镀膜工艺即可快速方便地实现大面积晶元级纳米空气沟道三极管的批量制备,通过控制镀膜厚度即可精确控制纳米空气沟道的长度以及栅极与源漏极之间的距离与相对位置,具备操作简单易行、良率高、工艺一致性和重复性好的优点。
基本信息
专利标题 :
一种栅极自对准的垂直纳米空气沟道三极管制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114512380A
申请号 :
CN202210104288.1
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-01-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈飞良李沫张健魏亚洲赵键澎王佳超黄瑞涵赵海全杨帆姜昊
申请人 :
电子科技大学
申请人地址 :
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
代理机构 :
电子科技大学专利中心
代理人 :
邓黎
优先权 :
CN202210104288.1
主分类号 :
H01J9/02
IPC分类号 :
H01J9/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J9/00
专用于制造放电管、放电灯及其部件的设备和方法;从放电管或灯回收材料
H01J9/02
电极或电极系统的制造
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 9/02
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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