本发明提供了一种栅极自对准的垂直纳米空气沟道三极管制备方法，属于半导体晶体管技术领域。该制备方法首先在衬底上形成第一台面，再依次沉积介质层和第二台面，利用在存在高度差的衬底和第一台面同时沉积介质和第二台面的技术，可实现栅极与源漏极之间的自对准，精度可达纳米级。该方法采用普通紫外光刻和镀膜工艺即可快速方便地实现大面积晶元级纳米空气沟道三极管的批量制备，通过控制镀膜厚度即可精确控制纳米空气沟道的长度以及栅极与源漏极之间的距离与相对位置，具备操作简单易行、良率高、工艺一致性和重复性好的优点。